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Datum 05.05.2025
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
Datum 30.04.2025
Ein Reiniger, der Fett, Öl, Schmutz, Blut, Nikotin, Speisereste und andere hartnäckige Flecken von allen abwaschbaren Oberflächen entfernt, kann dennoch sicher für Ihre Geräte und die Umwelt sein.
Datum 15.04.2025